Научно-производственная фирма «Микран» осуществляет полный цикл разработки и производства дискретных приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем (СВЧ МИС) на основе полупроводниковых соединений GaAs и GaN, включающий проектирование и оптимизацию параметров полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, разработку технологий изготовления СВЧ МИС, создание моделей активных и пассивных элементов, разработку топологий СВЧ МИС, изготовление, НЧ и СВЧ-тестирование, а также испытания СВЧ МИС на надежность. На сайте представлены изделия, разработанные на основе GaAs технологий диодов с барьером Шоттки, PIN-диодов и низкобарьерных диодов.

Диод шоттки

• Диод шоттки DS-401-01

Бескорпусные GaAs PIN-диоды

•  ZB-27 бескорпусный GaAs PIN-диод (снято с производства)
•  ZB-28 бескорпусный GaAs PIN-диод

PIN-диоды

• PIN-диоды PL-1050, PL-2100

Коммутаторы

• MD210 коммутатор 1х1, 0,2...40 ГГц
• MD210N коммутатор 1х1
• MD211 коммутатор 1х2, 0,2...40 ГГц
• MD212 коммутатор 1х3, 0,2...40 ГГц
• MD213 коммутатор 1х4, 0,2...40 ГГц
• MD214 коммутатор 1х5, 0,2...40 ГГц

Коммутаторы с интегрированными цепями управления

• MD215 коммутатор 1х2 с интегрированными цепями управления, 4...27 ГГц
• MD216 коммутатор 1х3 с интегрированными цепями управления, 4...27 ГГц

Ограничители

• MD405 PIN-диодный ограничитель, 3...25 ГГц

Смесители

• MD603 двойной балансный смеситель, 0,7…2 ГГц
• MD604 двойной балансный смеситель, 1,5…5 ГГц
• MD605 двойной балансный смеситель, 2,5…9 ГГц
• MD606 двойной балансный смеситель, 4…18 ГГц
• MD607 двойной балансный смеситель, 10…20 ГГц
• MD608 двойной балансный смеситель, 24…37 ГГц
• MD609 двойной балансный смеситель, 22…38 ГГц

Детекторы мощности

• MD901 GaAs МИС детектора поглощаемой мощности
• MD902 GaAs МИС детектора проходящей мощности
• MD903 GaAs МИС детектора поглощаемой мощности