|
|
Monday, December 12, 2018
Томское время: 12:55
|
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
ТЕМПЕРАТУРНАЯ КОРРЕКЦИЯ ШИРОКОПОЛОСНЫХ ДЕТЕКТОРОВ МОЩНОСТИ НА ОСНОВЕ НИЗКОБАРЬЕРНЫХ ДИОДОВ
Авторы: Нечаев В.Г.1, Загородний А.С.2, Добриков А.И.2, 1ТУСУР, 2АО «НПФ «Микран»
Статья посвящена исследованию температурной зависимости сверхвысокочастотных преобразователей мощности. Приведены аналитические выражения параметров диодов, зависящих от температуры. В работе представлено сравнение двух способов температурной коррекции: на основе добавления схемы делителя напряжения с включением диода, и на основе применения термисторного датчика температуры. Представлены результаты экспериментальных исследований детекторов на основе низкобарьерных диодов ZB-28.
ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ МЭМС ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ С МЕДНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИЕЙ
Авторы: Кулинич И.В.1, Сигута Т.В.1, Кагадей В.А.2, 1ТУСУР, 2АО «НПФ «Микран»
В работе представлена разработанная технология формирования СВЧ МЭМС переключателей с металлизацией на основе меди. Разработан технологический процесс формирования балки МЭМС переключателя по технологии 3D литографии. При разбраковке изготовленных макетов СВЧ МЭМС переключателей выход годных приборов составил 70%.
АНАЛИТИЧЕСКОЕ РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ СОГЛАСОВАНИЯ ЧАСТОТНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ГРУППОВОГО ВРЕМЕНИ ЗАПАЗДЫВАНИЯ СВЧ-УСТРОЙСТВ
Авторы: 1Малютин Н.Д., 1Лощилов А.Г., 1,2Федоров В.Н., 3Малютина А.Н., 1ТУСУР, 2Северовосточный федеральный университет, 3НИ ТГУ
Получено аналитическое решение задачи согласования частотной зависимости времени группового запаздывания СВЧ-устройств путем примене-ния корректоров. Корректоры строятся на основе направленных ответвителей и фильтрующих элементов, которые включаются в диагональные порты ответвителей. Аналитически решена задача отыскания эквивалентных сопротивлений фильтрующих элементов по заданной частотной зависимости группового времени запаздывания корректоров, согласующих СВЧ-устройства по этому параметру с внесением минимальных потерь.
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА УТРОИТЕЛЯ ЧАСТОТЫ НА ОСНОВЕ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ С ДИАПАЗОНОМ ЧАСТОТ 21...51 ГГЦ
Авторы:А.В., Данилов Д.С., Дроботун Н.Б.,ТУСУР
В данной статье представлены результаты разработки, моделиро-вания и измерения широкополосного утроителя частоты, спроектированного на основе диодов с барьером Шоттки, с выходным диапазоном частот 21-51 ГГц. Микросхема утроителя реализована на основе монолитной интегральной техно-логии (МИС) на подложке из арсенида галлия (GaAs).Особенностью конструкции данной схемы является использование входных и выходных корректирующих и согласующих цепей, выполненных на основе фильтров смешанного типа. Входной фильтр выполнен на сосредоточенных, а выходной на смешанных элементах.
ПРИЕМО-ПЕРЕДАЮЩИЙ ТРАКТ С РАСШИРЕННЫМ ЧАСТОТНЫМ ДИАПАЗОНОМ ДЛЯ АВИАЦИОННОЙ РСА С ПОВЫШЕННЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ
Авторы:1 Гусев А.Н., 2 Рыжов Ф.В., 2 Самулеев М.С, 2 Ровкин М.Е., 1АО "НПФ "Микран", 2ТУСУР
В данной статье представлены результаты разработки, моделиро-вания и измерения широкополосного утроителя частоты, спроектированного на основе диодов с барьером Шоттки, с выходным диапазоном частот 21-51 ГГц. Микросхема утроителя реализована на основе монолитной интегральной техно-логии (МИС) на подложке из арсенида галлия (GaAs).Особенностью конструкции данной схемы является использование входных и выходных корректирующих и согласующих цепей, выполненных на основе фильтров смешанного типа. Входной фильтр выполнен на сосредоточенных, а выходной на смешанных элементах.
РАЗВИТИЕ ТЕХНИКИ СВЧ-РАДИОЛОКАЦИИ В АО "НПФ "МИКРАН"
Авторы:1Хлусов В. А., 2 Доценко В. В., 1 Ровкин М. Е., 1ТУСУР, 2АО "НПФ "Микран"
Рассматриваются основные направления развития техники радиолокации СВЧ в АО «НПФ „Микран“». Показаны достижения в области элементной базы СВЧ, включая монолитные интегральные схемы, узлов РЛС, включая планарные и объёмные СВЧ фильтры и антенные элементы. Показаны законченные модули (антенны, приёмо-передатчики), устройства (радиолокационные сенсоры) и ситемы (радиолокационные станции)
This article describes a 4 GHz ultra low noise oscillator with a frequency-locked loop (FLL) that incorporates a frequency detector (FD) employing a conventional dielectric resonator having an unloaded quality factor (Q) of 8000. Its single sideband (SSB) phase noise spectral density of –153 dBc/Hz at 10 kHz frequency offset from the carrier is superior to the best traditional crystal oscillators scaled to the same output frequency. The oscillator was built using low-cost, commercially available off-the-shelf parts.
Опубликовано в журнале "Вестник метролога" №3' 2013.
В статье рассмотрена архитектура широкополосных синтезаторов частот, применяемых в панорамных измерительных приборах СВЧ. Проанализировано влияние специфики измерительного прибора на формирование требований к синтезатору. Описаны основные противоречия и способы их устранения при построении синтезаторов частот.
Авторы: Янчук Д.А., Харитонов Н.М., Дроботун Н.Б., ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в журнале "Компоненты и технологии" №9' 2013.
В статье рассмотрен ряд проблем, возникающих при использовании ЖИГ-фильтров в анализаторах спектра, и представлены оригинальные способы их решения, реализованные в серийных изделиях НПФ «Микран». Приведен краткий обзор характеристик анализаторов, определяемых параметрами преселектора. Описан метод повышения температурной стабильности преселектора путем применения схемы термостата с термоэлектрическими преобразователями Пельтье, а также внутренних автоматически регулируемых нагревательных элементов. Приведены результаты тестирования термостатированного преселектора. Рассмотрено влияние эффекта магнитного гистерезиса и предложен алгоритм управления перестройкой ЖИГ-фильтра, уменьшающий это влияние.
ТЕХНОЛОГИИ МЕЛКОСЕРИЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА GAAS СВЧ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Авторы: Арыков В.С., Великовский Л.Э., Ишуткин С.В., Романенко С.В., Шестериков Е.В., Юнусов И.В., ЗАО "НПФ "Микран"
Доклад научно-технической конференции "СВЧ - электроника. 70 лет развития", Фрязино, 15-16 мая 2013 г.
В докладе рассмотрены технологии мелкосерийного производства GaAs СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) на подложках диаметром 100мм, разработанные в ЗАО «НПФ «Микран». Приведены основные параметры разработанных и внедренных в технологические маршруты изготовления СВЧ МИС и дискретных приборов блоков технологических операций, основные параметры пассивных и активных элементов GaAs СВЧ МИС для технологий изготовления микросхем на основе pHEMT с длиной затвора 0,5 и 0,25 мкм. Представлена технология изготовления МИС на основе GaAs pin-диодов. Рассмотрены результаты статистического анализа выходного контроля СВЧ МИС, а так же результаты надёжностных испытаний СВЧ приборов. Описан уровень разработки и состояние технологий изготовления микросхем миллиметрового диапазона длин волн на основе GaAs и GaN.
2010 год
Авторы: А.А. Баров, Ю.Н. Бидненко, А.В. Кондратенко, ЗАО «НПФ» Микран»
Опубликовано в Сборнике докладов ТУСУРа , №2 (22), часть 1, декабрь 2010.
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в соответствии с договором 13.G25.31.0011 от 07 сентября 2010 г. в порядке реализации Постановления № 218 Правительства РФ.
Авторы: Е.В. Ерофеев, В.А. Кагадей, С.В. Ишуткин, К.С. Носаева, Е.В. Анищенко, В.C. Арыков, ЗАО «НПФ» Микран»
Опубликовано в Сборнике докладов ТУСУРа , №2 (22), часть 1, декабрь 2010.
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в соответствии с договором 13.G25.31.0011 от 7 сентября 2010 г. в порядке реализации постановления № 218 Правительства РФ.
Автор: А.А. Ладур, ЗАО «НПФ» Микран»
Опубликовано в Сборнике докладов ТУСУРа , №2 (22), часть 1, декабрь 2010.
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в соответствии с договором 13.G25.31.0011 от 7 сентября 2010 г. в порядке реализации постановления № 218 Правительства РФ.
Авторы: В.С. Арыков, А.М. Гаврилова, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, ЗАО «НПФ» Микран»
Опубликовано в Сборнике докладов ТУСУРа , №2 (22), часть 1, декабрь 2010.
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в соответствии с договором 13.G25.31.0011 от 7 сентября 2010 г. в порядке реализации постановления № 218 Правительства РФ.
Авторы: Очередько М.С., студентка 5 курса РТФ ТУСУР, Кондратенко А.В., Научно-производственная фирма "Микран"
Опубликовано в сборнике трудов Научной сессии ТУСУР - 2010: Материалы докладов Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 4 - 7 мая 2010 г. (в пяти частях) - Томск: В-Спектр, 2010. - Часть 4, с. 56 - 59.
Авторы: Губа В.Г., Савин А.А., К.Т.Н., ЗАО «НПФ» Микран»
Опубликовано в сборнике трудов VIII Всероссийской научно-технической конференции «Метрологическое обеспечение обороны и безопасности в Российской Федерации».
Авторы: Баров А. А., Кондратенко А., ЗАО «НПФ» Микран»
Опубликовано в сборнике трудов 20-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2010). 13-17 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Авторы: Арыков В. С.1, Гусев А. Н., Дедкова О. А., Ющенко А. Ю. Научно-производственная фирма «Микран», ОАО "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов"
Опубликовано в сборнике трудов 20-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2010). 13-17 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Авторы: Буянов Ю. И., Доценко В. В., Носов Д. М., Осипов М. В., Ровкин М. Е., Сурков А. С., Хлусов В. А. Научно-производственная фирма «Микран»
Опубликовано в сборнике трудов 20-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2010). 13-17 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Авторы: Андронов Е. В., Гошин Г. Г., Морозов О. Ю., Семенов А. В., Фатеев А. В. Научно-производственная фирма «Микран», Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Авторы: Анищенко Е. В., Ерофеев Е. В., Ишуткин С. В., Кагадей В. А., Носаева К. С. ЗАО «НПФ «Микран», Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники;
Опубликовано в сборнике трудов 20-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2010). 13-17 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Авторы: Ладур А. А., Малютин Н. Д., Федотов Е. И. Научно-производственная фирма «Микран», Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники;
Опубликовано в сборнике трудов 20-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2010). 13-17 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Авторы: Доценко В. В., Носов Д. М., Осипов М. В., Ровкин М. Е., Сурков А. С., Хлусов В. А., ЗАО «НПФ» Микран»
Опубликовано в сборнике трудов 20-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2010). 13-17 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
2012 год
ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ МОДЕМА РАДИОРЕЛЕЙНОЙ ЛИНИИ СВЯЗИ
Авторы: Косолапов В. В.1, Миллер А. И.2, Хлусов В. А.2., 1ГОУ ВПО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», 2ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в сборнике докладов 22-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», Севастополь, Крым, Украина. 10-14 сентября 2012 г. .
Приводится обоснование принципов оптимизации параметров модема радиорелейной линии связи на стадии разработки. В качестве исходных данных использованы экспериментально полученные импульсные характеристики закрытой трассы, протяженностью 7,8 км. По результатам обработки полученных данных рассчитаны значения среднеквадратического разброса задержек и полосы когерентности радиоканала, на основании которых сформированы первоначальные требования к виду и параметрам модуляции, а также к эквалайзеру модема.
ЭЛЕКТРОННЫЙ КАЛИБРАТОР ВЕКТОРНОГО АНАЛИЗАТОРА ЦЕПЕЙ
Автор: Ладур А. А., ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в сборнике докладов 22-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», Севастополь, Крым, Украина. 10-14 сентября 2012 г. .
Рассмотрен электронный калибратор векторного анализатора цепей, его структурная схема и метод калибровки. Проведены измерения параметров нагрузок калибратора и оценка эффективных параметров векторного анализатора цепей после калибровки при помощи электронного калибратора.
LPI РАДИОЛОКАЦИОННЫЙ СЕНСОР КА-ДИАПАЗОНА
Авторы: Хлусов В. А., Ровкин М. Е, Доценко В. В., Осипов М. В., Сурков А. С., Носов Д. М., Сваровский О. Ю., Попов Д. А., Давыденко Е. А., ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в сборнике докладов 22-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», Севастополь, Крым, Украина. 10-14 сентября 2012 г. .
Приводится описание 8-мм радиолокационного сенсора непрерывного излучения с низким пиковым уровнем мощности (LPI радар) и гомодинной обработкой ЛЧМ-сигнала. Показаны основные подходы при практической реализации макета радара, приведены описания и технические характеристики его основных функционально законченных блоков, а также некоторые результаты натурных испытаний.
ВЫБОР ГЕНЕРАТОРОВ ДЛЯ ПОСТРОЕНИЯ МАЛОШУМЯЩИХ СВЧ-СИНТЕЗАТОРОВ
Автор: Горевой А. В., ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в журнале "Компоненты и технологии" №6' 2012.
В статье обосновывается выбор и построение генераторов для синтезаторов СВЧ с позиций системных требований и ограничений в характеристиках их элементов. Рассмотрены методы снижения фазовых шумов генераторов. Приведены примеры конструкций некоторых генераторов, разработанных автром.
GaAs МИС УСИЛИТЕЛЯ РАСПРЕДЕЛЕННОГО УСИЛЕНИЯ
Авторы: Арыков, В.Д. Дмитриев, В.М. Коротаев, Д.А. Шишкин, ЗАО "НПФ "Микран", Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Опубликовано в сборнике докладов Всероссийской конференции "Микроэлектроника СВЧ", Санкт-Петербург. 4-7 июня 2012г.
В статье представлены результаты разработки микросхемы усилителя распределенного усиления на основе GaAs pHEMT. Полоса рабочих частот 0.01-20 ГГц, коэффициент усиления 10 дБ, выходная мощность по сжатию на 1 дБ не менее 14 дБм. Напряжение питания +7 В, ток потребления 100 мА. Размеры кристалла 1.5х3.0х0.1 мм.
GaAs МИС МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ Х-ДИАПАЗОНА
Авторы: А.В. Кондратенко, А.А. Баров, В.С. Арыков, ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в сборнике докладов Всероссийской конференции "Микроэлектроника СВЧ", Санкт-Петербург. 4-7 июня 2012г.
В статье представлена процедура и результаты разработки монолитной интегральной схемы малошумящего усилителя Х-диапазона частот, предназначенной для применения в приемо-передающих модулях АФАР. Усилитель выполнен на основе 0.25 мкм GaAs pHEMT технологии ЗАО «НПФ «Микран». Полоса рабочих частот 8-12 ГГц, коэффициент усиления 26 дБ, коэффициент шума менее 2.2 дБ, возвратные потери по входу/выходу не менее 10 дБ, однополярное напряжение питания 5 В, ток потребления 45 мА.
СЕРИЯ GaAs МИС ШИРОКОПОЛОСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ЧАСТОТЫ
Авторы: В.С. Арыков, А.А. Баров, А.В. Кондратенко, Д.С. Хохол, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в сборнике докладов Всероссийской конференции "Микроэлектроника СВЧ", Санкт-Петербург. 4-7 июня 2012г.
В статье представлены результаты разработки серии монолитных интегральных схем широкополосных смесителей и удвоителей частоты, выполненных на основе 0.25 мкм GaAs pHEMT технологии ЗАО «НПФ «Микран». Решена задача замещения аналогов зарубежного производства, применяемых в выпускаемой аппаратуре.
GaAs МИС БУФЕРНОГО УСИЛИТЕЛЯ Х-ДИАПАЗОНА
Авторы: А.А. Баров, В.С. Арыков, ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в сборнике докладов Всероссийской конференции "Микроэлектроника СВЧ", Санкт-Петербург. 4-7 июня 2012г.
Приведена методика разработки МИС буферного усилителя на основе линейного анализа. Начальными данными для проектирования служат малосигнальная модель и выходная ВАХ GaAs ПТШ. В работе рассматривается пример и экспериментальные данные по разработке GaAs МИС буферного усилителя в диапазоне частот 8-12 ГГц.
МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ GaAs PIN ДИОДНЫХ КОММУТАТОРОВ СВЧ
Авторы: И.В. Юнусов, А.М. Ющенко, А.Ю. Плотникова, В.С. Арыков, А.А. Баров, ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в сборнике докладов Всероссийской конференции "Микроэлектроника СВЧ", Санкт-Петербург. 4-7 июня 2012г.
В статье приведены результаты разработки серии арсенид галлиевых монолитных интегральных схем (МИС) коммутаторов на основе pin диодов. Представлены результаты измерения сверхвысокочастотных (СВЧ) параметров в диапазоне до 40 ГГц. Изготовленные коммутаторы обладают малыми вносимыми потерями открытого канала и хорошей развязкой закрытого канала. Отработанная в ЗАО «НПФ «Микран» pin диодная технология характеризуется высоким процентом выхода годных приборов.
ВЛИЯНИЕ ТОЧНОСТИ ХАРАКТЕРИЗАЦИИ МЕР КАЛИБРОВОЧНОГО НАБОРА НА ПОГРЕШНОСТЬ ИЗМЕРЕНИЙ ОДНОПОРТОВОГО ВЕКТОРНОГО АНАЛИЗАТОРА ЦЕПЕЙ
Автор: В.Г. Губа, ЗАО "НПФ "Микран"
Дана классификация погрешностей измерений векторного анализатора цепей, рассмотрены варианты калибровки, представлены потенциальные проблемы при реализации мер. Получены формулы, связывающие точность характеризации мер и остаточные факторы – общее и частные для распространенных наборов мер решения.
2011 год
В 2011 году НПФ "Микран" издал книгу "Теоретический аппарат измерений на СВЧ". Данная монография - первый том серии книг, посвященных аппаратным измерениям на СВЧ. Подробнее.
КЛАССИФИКАЦИЯ И АНАЛИЗ МЕТОДОВ КАЛИБРОВКИ ВЕКТОРНЫХ АНАЛИЗАТОРОВ ЦЕПЕЙ
Авторы: В.Г. Губа, А.А. Ладур, А.А. Савин, ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в Сборнике докладов ТУСУРа, № 2 (24), часть 1, декабрь 2011
Рассмотрены методы выполнения различных калибровок векторного анализатора цепей для выполнения измерений параметров рассеяния пассивных СВЧ-устройств. Приведены краткий математический аппарат и анализ, даны рекомендации по применению.
Авторы: В.Г. Губа, А.А. Савин, ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в Сборнике докладов ТУСУРа, № 2 (24), часть 1, декабрь 2011
Рассмотрен простой способ определения основных параметров смесителей частот при помощи однопортового векторного анализатора цепей.
Авторы: В.Г. Губа, А.А. Савин, В.Н. Ульянов, ЗАО "НПФ "Микран"
Опубликовано в Сборнике докладов ТУСУРа, № 2 (24), часть 1, декабрь 2011
Рассмотрен способ выполнения калибровки векторного анализатора цепей, оснащенного дополнительными опциональными возможностями, позволяющий проводить измерения параметров устройств с преобразованием частоты.
МОНОЛИТНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ПАССИВНЫХ УДВОИТЕЛЕЙ ЧАСТОТЫ S- И C-ДИАПАЗОНОВ НА ОСНОВЕ GaAs pHEMT-ТЕХНОЛОГИИ
Авторы: В.С. Арыков, А.А. Баров, А.В. Кондратенко, А.А. Фоминых, Д.С. Хохол, ЗАО «НПФ «Микран»
Опубликовано в сборнике докладов VII Международной научно-практической конференции "Электронные средства и системы управления", Томск, 10-11 ноября 2011 г.
Представлены результаты разработки монолитных интегральных схем пассивных удвоителей частоты S- и C-диапазонов, выполненных на основе 0,25 мкм GaAs pHEMT-технологии ЗАО «НПФ «Микран».
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА МАЛОШУМЯЩЕГО УСИЛИТЕЛЯ ДИАПАЗОНА 8-12 ГГц НА ОСНОВЕ GaAs PHEMT-ТЕХНОЛОГИИ
Авторы: В.С. Арыков, А.А. Баров, А.В. Кондратенко, ЗАО «НПФ «Микран»
Опубликовано в сборнике докладов VII Международной научно-практической конференции "Электронные средства и системы управления", Томск, 10-11 ноября 2011 г.
Представлены результаты разработки монолитной интегральной схемы СВЧ малошумящего усилителя, выполненной на основе 0,25 мкм GaAs pHEMT-технологии ЗАО «НПФ «Микран». Полоса рабочих частот 8–12 ГГц, коэффициент усиления 27 дБ, коэффициент шума не более 2 дБ, возвратные потери по входу и выходу не менее 10 дБ, однополярное напряжение питания В, ток потребления 45 мА.
Авторы: В.С. Арыков, А.А. Баров, А.В. Кондратенко, А.А. Фоминых, Д.С. Хохол, ЗАО «НПФ «Микран»
Опубликовано в сборнике Х научно-технической конференции молодых специалистов "Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА", г. Дубна.
Широкополосные балансные смесители и умножители СВЧ, выполненные по технологии гибридных интегральных схем, имеют ограничения по диапазону рабочих частот, которые обусловлены технологическими нормами на изготовление планарных противофазных трансформаторов, а также паразитными составляющими межэлементных соединений. В значительной степени снизить и/или исключить указанные недостатки можно при переходе на монолитное интегральное исполнение устройств [1]. В докладе представлены результаты разработки монолитных интегральных схем широкополосного двойного балансного смесителя и удвоителей частоты S- и C-диапазона частот, выполненных на основе 0,25 мкм pHEMT технологии ЗАО «НПФ Микран».
Авторы: Зайцев К. И., Мягков А. С., Новиков А. В., Носов Д. М., Осипов М. В., Сурков А. С.,Христенко А. В., Акулиничев Ю. П., Ровкин М. Е., Хлусов В. А., ГОУ ВПО «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники», ЗАО «НПФ «Микран»
Опубликовано в сборнике трудов 21-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2011). 12-16 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Проведены когерентные экспериментальные измерения матричной функции отклика двух приземных трасс, протяженностью 24 и 30 км., с известным высотным рельефом. Точность оценки формируемых функций отклика определялась широкой полосой зондирующего неполяризованного сигнала, равной 320 МГц. Полное поляризационное зондирование радиоканала реализовано с использованием двух ортогональных по поляризации и некоррелированных ЛЧМ-сигналов со встречным законом модуляции. Временное разрешение формируемых функций отклика равнялось 3 нс. Получены характеристики изменчивости матричных функций отклика исследуемых трасс на секундных интервалах. Совокупность результатов данной работы может быть полезна при решении связных задач.
Авторы: Андронов Е. В., Гошин Г. Г., Семибратов В. П., Фатеев А. В., Щуров В. В., Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, ЗАО «НПФ» Микран»
Опубликовано в сборнике трудов 21-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2011). 12-16 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Проведена разработка коаксиальных нагрузок холостого хода, короткого замыкания и согласованной, используемых в качестве калибровочных мер в измерительной технике.
Авторы: Осипов К. Ю., Великовский Л. Э., Кагадей В. А., ЗАО «НПФ» Микран»
Опубликовано в сборнике трудов 21-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2011). 12-16 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Разработан процесс реактивно-ионного травления сквозных отверстий в подложках SiC. В ходе работы исследованы зависимости скорости травления SiC от основных параметров процесса, а именно: от давления и ВЧ мощности, прикладываемой к электроду подложкодержателя, а также от соотношения потоков рабочих газов. Разработанный процесс позволяет травить сквозные отверстия в подложках толщиной до 100 мкм со скоростью более 1000 нм/мин.
Авторы: Осипов К. Ю., Великовский Л. Э., Кагадей В. А., ЗАО «НПФ» Микран»
Опубликовано в сборнике трудов 21-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2011). 12-16 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Проведено исследование технологии формирования Ta/Ti/Al/Mo/Au омических контактов к AlGaN/GaN гетероструктурам, выращенных на подложках Si и SiC. Установлена зависимость оптимальной температуры отжига омического контакта от толщины слоя алюминия. Подобраны оптимальные составы слоёв Ta/Ti/Al/Mo/Au металлизации омических контактов к гетероструктуре AlGaN/GaN с различной мольной долей алюминия в слое AlGaN. Разработанный процесс позволяет получать омические контакты с гладкой морфологией поверхности и контактным сопротивлением менее 0.5 Ом*мм.
Авторы: Юнусов И. В., Гаврилова А. М., Арыков В. С., Научно-производственная фирма «Микран»
Опубликовано в сборнике трудов 21-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2011). 12-16 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Рассмотрена технология изготовления диодов квази-вертикальной конструкции, позволяющая улучшить электрические параметры диодов. Особенностью разработанной технологии является применение принципа самосовмещения при формировании базы диода и омического контакта катода. Полученные для диодов с барьером Шоттки результаты показали, что самосовмещенная технология позволяет значительно уменьшить последовательное сопротивление диода и токи утечки при обратном смещении, а также уменьшить коэффициент идеальности ВАХ по сравнению с аналогами, полученными по стандартной технологии без самосовмещения.
Авторы: Федосова М. А., Гаврилова А. М., Ерофеев Е. В., Арыков В. С., Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, ЗАО “НПФ “Микран”
Опубликовано в сборнике трудов 21-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2011). 12-16 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В работе описаны результаты разработки технологии GaAs pHEMT с омическими контактами, самосовмещенными относительно Т-образного затвора длиной Lg =250 нм. Приведены основные требования к форме затвора, подобрана система металлизации омических контактов и режим отжига, обеспечивающие минимальное сопротивление. Проведено сравнение вольт-амперных характеристик и коэффициентов усиления по току h21 pHEMT, изготовленных по стандартной и самосовмещенной технологии. Использование самосовмещенной технологии привело к увеличению крутизны передаточной характеристики S и тока сток-исток Ids транзисторов на 10…15% в сравнении со стандартным процессом, граничная частота усиления по току увеличилась на 15 ГГц и составила Ft ~70 ГГц.
Авторы: Арыков В. С., Баров А. А., Великовский Л. Э., Кондратенко А. В., ЗАО «НПФ «Микран»
Опубликовано в сборнике трудов 21-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2011). 12-16 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В докладе представлены результаты разработки МИС малошумящего усилителя на основе GaAs pHEMT технологии. Полоса рабочих частот 8-12 ГГц, коэффициент усиления 30 дБ, коэффициент шума 1,5 дБ,выходная мощность по сжатию на 1 дБ не менее +10 дБм, однополярное питание +5 В, ток потребления 100 мА. Размеры кристалла 2.5x1.5x0.1 мм.
Опубликовано в Сборнике докладов ТУСУРа, № 1 (23), июнь 2011.
Данная работа выполнена в рамках госконтракта № 02.740.11.0232 по ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009–2013 гг.
Описан измерительный комплекс, который спроектирован и реализован на базе цифрового формирователя сигналов, разработанного ЗАО «НПФ «Микран». Комплекс предназначен для полного поляризационного зондирования каналов распространения радиоволн (РРВ) и позволяет производить оценку матричной импульсной характеристики радиоканала на каждой из двух расходящихся трасс по результатам измерений откликов на широкополосный (до 640 МГц) радиосигнал Х-диапазона.
Автор: К.В. Волков
Опубликовано в Сборнике докладов ТУСУРа , № 1 (23), июнь 2011.
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в соответствии с договором 13.G25.31.0011 от 07.09.2011 г. в порядке реализации постановления № 218 Правительства РФ.
Предложена структурная схема виртуального векторного анализатора сигналов на базе технологии CUDA. Предлагаемая схема анализатора позволит значительно снизить стоимость векторного анализатора, не снижая качество измерительного устройства. Использование CUDA в качестве основного вычислительного модуля существенно повысит производительность устройства. Гибкая программная структура измерительного устройства позволит производить анализ самых популярных стандартов беспроводной связи в реальном времени.
Авторы: В.В. Доценко, М.В. Осипов, В.А. Хлусов
Опубликовано в Сборнике докладов ТУСУРа , № 1 (23), июнь 2011.
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ в соответствии с договором 13.G25.31.0011 от 7 сентября 2010 г. в порядке реализации постановления № 218 Правительства РФ.
Рассматривается метод повышения энергетического потенциала однопозиционной активной РЛС с непрерывным ЛЧМ-излучением, основанный на использовании пространственной обработки сигналов. На примере практической реализации активной фазированной антенной решетки с гомодинной обработкой принимаемых сигналов показаны пути реализации предлагаемого метода.
Авторы: Хохол Д.С., Дмитриченко Е.В., Кондратенко А.В., Научно-производственная фирма "Микран"
Опубликовано в Материалах докладов Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 4 - 6 мая 2011 г. - Томск: В-Спектр, 2011: В 6 частях. - Ч. 2. - С. 233 - 235.
Одним из основных функциональных узлов приемо-передающих модулей АФАР являются электрически управляемые фазовращатели. Применение дискретно-коммутационного способа управления (в сравнении с аналоговым способом) позволяет значительно уменьшить влияние временных и температурных нестабильностей полупроводниковых элементов и управляющих сигналов на фазовые характеристики. В данном случае стабильность устройства определяется стабильностью параметров пассивных элементов, задающих требуемый фазовый сдвиг, а влияние управляющих ключевых элементов в ряде случаев пренебрежимо мало.
Авторы: Хохол Д.С., Дмитриченко Е.В., Баров А.А., Кондратенко А.В., Научно-производственная фирма "Микран"
Опубликовано в Материалах докладов Всероссийской научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 4 - 6 мая 2011 г. - Томск: В-Спектр, 2011: В 6 частях. - Ч. 2. - С. 256-259.
Широкополосные балансные смесители СВЧ, выполненные по технологии гибридно-интегральных схем (ГИС), имеют ограничения по диапазону рабочих частот, которые обусловлены технологическими нормами на изготовление планарных противофазных трансформаторов и значительными паразитными составляющими межэлементных соединений. В значительной степени снизить и/или исключить указанные недостатки можно при переходе на монолитно-интегральное исполнение смесителя. В литературе приводится достаточно много публикаций, посвященных разработке монолитных интегральных схем (МИС) сверхширокополосных смесителей.
2009 год
ИССЛЕДОВАНИЕ СОГЛАСОВАННОГО КОАКСИАЛЬНОГО СВЧ ПЕРЕХОДА ПРИБОРНОГО КЛАССА
Авторы: Андронов Е. В., Глазов Ген. Н., Гошин Г. Г., Морозов О. Ю., Фатеев А. В. Научно-производственная фирма «Микран», Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Опубликовано в сборнике трудов 19-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2009). 14-18 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
При производстве радиоэлектронной аппаратуры для соединения двух трактов, имеющих одинаковые волновые сопротивления, но разные геометрические размеры поперечного сечения, требуются согласованные переходы, обеспечивающие некоторое заданное допустимое значение модуля коэффициента отражения. Цель работы заключалась в исследовании согласованных переходов для коаксиальных трактов ВЧ диапазона, обеспечивающих допустимое значение модуля коэффициента отражения не хуже 40 дБ. Серийное производство подобных переходов налажено на ЗАО «НПФ «Микран».
МНОГООКТАВНЫЕ УСТРОЙСТВА СВЧ ДИАПАЗОНА ДЛЯ РАЗДЕЛЕНИЯ ПАДАЮЩЕЙ И ОТРАЖЕННОЙ МОЩНОСТЕЙ
Авторы: Андронов Е. В., Гошин Г. Г., Морозов О. Ю., Фатеев А. В. Научно-производственная фирма «Микран», Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Опубликовано в сборнике трудов 19-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2009). 14-18 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Для того чтобы измерить значение коэффициента отражения от исследуемого объекта, необходимо разделять падающую и отраженную от объекта мощности. Их разделение происходит с помощью направленных устройств, значение направленности которых определяет аппаратную погрешность измерительных приборов. К подобным устройствам относятся направленные ответвители и мосты. В данной работе рассмотрены направленные мосты, являющиеся основным элементом датчиков КСВН. Последние применяются в комплекте с измерителями модулей коэффициентов передачи и отражения типа Р2. Цель работы заключается в разработке и исследовании датчиков КСВН для использования в составе скалярных измерителей параметров цепей, серийно выпускаемых ЗАО «НПФ «Микран».
ЛИНЕАРИЗАЦИЯ УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ НА БАЛАНСНЫХ КАСКАДАХ
Авторы: Коротаев В. М., Шейн Д. Я. Научно-производственная фирма «Микран»
Опубликовано в сборнике трудов 19-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2009). 14-18 сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Проблема создания усилительного тракта с минимальными нелинейными искажениями инициировала разработку технических решений по линеаризации СВЧ усилителей мощности и передатчиков. Основными методами линеаризации являются связь вперед, обратная связь, предискажения. Техническая реализация первых двух методов связана с организацией дополнительных цепей передачи сигнала, добавлением делителей и сумматоров, использованием высокоточных устройств регулирования амплитуды и фазы. Эти методы мало пригодны для реализации на СВЧ по причине недопустимо большой электрической длины цепей связи и, как следствие, сужения полосы, уменьшения запаса устойчивости, потерь усиления.
ДВАДЦАТИЧЕТЫРЕХКАНАЛЬНОЕ ЧАСТОТНО-РАЗДЕЛИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО
Авторы: Кондратенко А.В., Миллер А.И., Сунгатуллин Э.Н., Шевляков М.Л. ЗАО "НПФ Микран", г. Томск
Опубликовано в журнале « Техника и приборы СВЧ». -2008. -№2. -С.5-8.
В публикации приведены результаты разработки частотно-разделительного устройства, обеспечивающего усиление сигнала и деление широкой полосы частот на двадцать четыре канала.
СВЧ GaAs МИС ДИСКРЕТНЫХ ФАЗОВРАЩАТЕЛЕЙ С ДИАПАЗОНА СО ВСТРОЕННЫМ ДРАЙВЕРОМ УПРАВЛЕНИЯ
Авторы: Аржанов С.Н., Арыков В.А., Баров А.А., Гюнтер В.Я., Лиленко Ю.В. Научно-производственная фирма "Микран", г. Томск
Опубликовано в сборнике трудов 18-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’ 2008). 8-12 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В докладе приводится пример разработки СВЧ GaAs МИС дискретного фазовращателя на основе коммутационных фильтров с учетом наработан¬ного опыта проектирования и производства аналогичных МИС других диапазонов частот.
ДВАДЦАТИЧЕТЫРЕХКАНАЛЬНОЕ ЧАСТОТНО-РАЗДЕЛИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО S-ДИАПАЗОНА
Авторы: Кондратенко А.В., Миллер А.И., Шевляков М.Л. Научно-производственная фирма "Микран", г. Томск
Опубликовано в сборнике трудов 18-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2008). 8-12 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В докладе приведены результаты разработки частотно-разделительного устройства, обеспечивающего деление широкой полосы частот на двадцать четыре канала.
РАЗРАБОТКА И ПРИМЕНЕНИЕ GaAs PIN ДИОДОВ
Авторы: А.А.Баров, С.М.Гущин. Научно-производственная фирма "Микран" , г. Томск, ОАО "НИИПП", г. Томск
Опубликовано в сборнике докладов Второй научно-технической конференции “Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем” проходившей 14-17 октября 2008г в г.Омске на базе ОАО “ЦКБА”.
В докладе приводится пример разработки и применения pin-диодных элементов от этапа изготовления полупроводниковой структуры до применения в СВЧ модулях.
2007 год
МОНОЛИТНЫЙ МАЛОШУМЯЩИЙ УСИЛИТЕЛЬ X-ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ 0,15 МКМ GaAs p-HEMT ТЕХНОЛОГИИ
Авторы: В.Г.Мокеров, В.Я.Гюнтер, С.Н.Аржанов, Ю.В.Федоров, М.Ю.Щербакова, Л.И.Бабак, А.А.Баров,М.В.Черкашин - Научно-производственная фирма "Микран" г. Томск, Ф.И.Шеерман - Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН, г. Москва, Россия.
Опубликовано в сборнике трудов 17-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2007). 10-15 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В докладе приводятся результаты работы по разработке и изготовлению монолитной интегральной схемы (МИС) малошумящего усилителя (МШУ) X-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs p-HEMT технологии.
GaAs МИС ДИСКРЕТНЫХ ФАЗОВРАЩАТЕЛЕЙ Х-ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ
Авторы: С.Н. Аржанов, А.А.Баров, В.Я.Гюнтер. Научно-производственная фирма "Микран", г.Томск
Опубликовано в сборнике докладов 4-ой международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления. Опыт инновационного развития» г.Томск,
31 октября - 3 ноября 2007г.
В докладе приводится обоснование принятых схемных решений и описание разработки GaAs монолитно-интегральных схем (МИС) управляемых дискретных фазовращателей X-диапазона частот для приемо-передающих модулей (ППМ) бортовой РЛС с АФАР.
GaAs p-HEMT МИС МШУ X-ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ
Авторы: В.Г.Мокеров, Ю.В.Федоров, М.Ю.Щербакова - Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН, г.Москва, Россия; Л.И.Бабак, А.А.Баров, М.В.Черкашин, Ф.И.Шеерман, В.Я.Гюнтер, С.Н.Аржанов, Научно-производственная фирма "Микран" г. Томск
Опубликовано в сборнике материалов 6-ой научно-технической конференции "ПУЛЬСАР-2007" Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА", 21-23 марта 2007г., г. Владимир
В отечественной технической литературе практически отсутствуют публикации о разработке СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) на основе гетероструктурных материалов. Актуальность и экономическая целесообразность разработки таких МИС определяется массовым применением при производстве однотипных изделий, к примеру, таких как приемопередающие модули системы АФАР. В предлагаемом докладе приводятся результаты разработки GaAs МИС малошумящего усилителя Х-диапазона на основе гетероэпитаксиального материала и технологического маршрута производства ИСВЧПЭ РАН.
2006 год
GaAs МИС PIN ДИОДНОГО ДВУХПОЗИЦИОННОГО КОММУТАТОРА
Автор: Баров А. А., Гущин С.М., Научно-Производственная фирма «Микран», ОАО "НИИПП" г. Томск
Опубликовано в сборнике трудов 16-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2006). 11-15 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В работе описывается p-i-n диодного коммутатора.
GaAs МИС ДВУХПОЗИЦИОННОГО КОММУТАТОРА СО ВСТРОЕННЫМ ДРАЙВЕРОМ
Автор: Баров А. А., Научно-Производственная фирма «Микран» г. Томск
Опубликовано в сборнике трудов 16-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2006). 11-15 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В работе приводится схемное решение по разработке GaAs МИС двухпозиционного коммутатора со встроенным драйвером на нормально открытых ПТШ.
СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЙ СВЧ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ КОМПЛЕКС
Авторы: Алексеев А.С., Баров А.А., Рощин К.Н., Ульянов В.Н., Федорчук И.В., Научно-Производственная фирма «Микран» г. Томск
Опубликовано в сборнике трудов 16-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2006). 11-15 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В публикации приводится описание специализированного СВЧ измерительного комплекса, который объединяет в себе функции импульсного векторного анализатора цепей, измерителя коэффициента шума и измерителя уровня интермодуляционных искажений.
2005 год
Авторы: А.А.Баров, В.Я.Гюнтер, М.Г.Игнатьев, Т.С.Петрова. Научно-производственная фирма "Микран", г.Томск
Опубликовано в сборнике докладов 2-ой международной научно-практической конференции «Электронные средства и системы управления. Опыт инновационного развития» г.Томск, 2005г.
В докладе приводится описание разработки монолитно-интегральной схемы (МИС) двойного балансного смесителя на основе эпитаксиальной структуры GaAs с диодами Шоттки (ДШ). Диапазон рабочих частот по гетеродинному и сигнальному входу составляет 6-18ГГц, по тракту ПЧ 0-1.5 ГГц. МИС является функционально законченным узлом, с хорошими характеристиками по развязке и преобразованию частоты. Размеры кристалла 1,2×1,2×0,1мм.
Авторы: Гюнтер В.Я., Кондратенко А.В., Шевляков М.Л. Научно-производственная фирма "Микран", г. Томск.
Опубликовано в сборнике трудов 15-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2005). 12-16 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В работе приведены результаты разработки частотного квадраплексера на подвешенной подложке, обеспечивающего разделение широкой полосы частот на четыре канала.
Авторы: Гюнтер В.Я., Карев Е.В., Кондратенко А.В., Шевляков М.Л., Штраух А.А. Научно-производственная фирма "Микран", г.Томск
Опубликовано в сборнике трудов 15-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2005). 12-16 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В работе приведены результаты разработки и сравнения серии гибридно-интегральных схем (ГИС) широкополосных двойных балансных диодных смесителей, обеспечивающих широкую рабочую полосу частот сигнала и гетеродина при высокой развязке и малых потерях преобразования.
Авторы: Баров А.А., Гюнтер В.Я., Игнатьев М.Г., Петрова Т.С. Научно-производственная фирма "Микран", г. Томск
Опубликовано в сборнике трудов 15-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2005). 12-16 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В работе приведен ряд разработанных пассивных управляющих монолитно-интегральных схем (МИС) СВЧ на базе GaAs ПТШ.
Авторы: Г.Н. Глазов, А.Г. Костевич, Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Опубликовано: В кн. «Интеллектуальные системы в управлении, конструировании и образовании». Вып. 4/Под ред. А. А. Шелупанова. - Томск: Изд-во Института оптики атмосферы СО РАН, 2005. Стр. 106-121.
В предыдущей статье была обоснована необходимость составления банка ковариационных функций (КФ) и энергетических спектров (ЭС) случайных процессов и полей, сделаны основные определения и ограничения, выяснены свойства КФ и ЭС, перечислены предложенные авторами регулярные способы формирования пар КФ - ЭС, приведены примеры пар, полученных эвристическим подбором. В данной статье приведены примеры регулярного формирования пар КФ - ЭС для случайного процесса.
Авторы: Г.Н. Глазов, А.Г. Костевич, Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Опубликовано: В кн. «Интеллектуальные системы в управлении, конструировании и образовании». Вып. 4/Под ред. А. А. Шелупанова. - Томск: Изд-во Института оптики атмосферы СО РАН, 2005. Стр. 121-133.
В предыдущей статье была обоснована необходимость составления банка ковариационных функций (КФ) и энергетических спектров (ЭС) случайных процессов и полей, сделаны основные определения и ограничения, выяснены свойства КФ и ЭС, перечислены предложенные авторами регулярные способы формирования пар КФ - ЭС, приведены примеры пар, полученных эвристическим подбором. В данной статье приведены примеры регулярного формирования пар КФ - ЭС для двумерных и трехмерных полей.
Авторы: Г.Н. Глазов, А.Г. Костевич, Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Опубликовано: В кн. «Интеллектуальные системы в управлении, конструировании и образовании». Вып. 4/Под ред. А. А. Шелупанова. - Томск: Изд-во Института оптики атмосферы СО РАН, 2005. Стр. 133-142.
При использовании в генезисе ЭС тригонометрических функций и «окон» из спектрального анализа необходимо численное вычисление интеграла вида ….
Авторы: Е.Л.Ерёмина; Т.С.Петрова; Е.П.Гроо, Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Публикация: Материалы 4 Всероссийской Студенческой Научно-Практической Конференции «Химия и химическая технология в 21 веке», 11-12 мая Томск 2005. Томский Политехнический Университет
В полупроводниковой интегральной технологии очень часто используется способ соединения истоковых контактных площадок полевого транзистора Шоттки (ПТШ) с подложкой через сквозные металлизированные отверстия. Отверстия, полученные лазерной прошивкой необходимо покрыть слоем золота для обеспечения контакта. Для хорошей адгезии металла к GaAs необходима качественная обработка внутренней поверхности стенок отверстия. Целью работы является подбор способа очистки поверхности полупроводника перед осаждением металла.
"МИК-РЛ"- НАДЕЖНАЯ ТРАНСПОРТНАЯ СЕТЬ СИСТЕМ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ СВЯЗИ НЕФТЕГАЗОТРУБОПРОВОДОВ
Автор: Скирта Ю.В, Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Публикация: Доклад на Межрегиональный научно-практический семинар по развитию нефтяной отрасли в рамках 6-й Межрегиональной специализированной выставки-конгресса с международным участием "НЕФТЬ И ГАЗ-2005"
Необходимым условием эффективной эксплуатации и развития объектов нефтегазотрубопроводов является наличие современных инфокоммуникаций. В настоящее время цифровые радиорелейные линии (РРЛ) достигли высокого уровня совершенства и наряду с оптоволоконными, кабельными, спутниковыми каналами связи, являются важной составляющей инфокоммуникаций. Значимость РРЛ в условиях России особенно велика вследствие особенностей ее географического положения.
СТАТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ СМЕСИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ
Авторы: Е.П.Гроо, Е.Л.Еремина, Т.С.Петрова, Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Публикация: Научная сессия ТУСУР 2005. Материалы Всероссийской Научно-технической Конференции 26-28 апреля, 2005г., Томск
Диоды с барьером Шоттки широко применяются в схемах детекторов и смесителей СВЧ диапазона. Малые ёмкость и последовательное сопротивления, отсутствие инжекции неосновных носителей позволяют применять диод с барьером Шоттки во всем СВЧ диапазоне вплоть до миллиметровых и даже субмиллиметровых волн.
Авторы: Гроо Е.П., Игнатьев М.Г., Козлова Л.А., Петрова Т.С., Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Публикация: 7-я Всероссийская с Международным Участием Научно-Техническая Конференция «Современные проблемы радиоэлектроники». Красноярский Государственный Тухнический Университет. 5-6 мая 2005 год
В работе рассматриваются вопросы создания диодов с балочными выводами (ДБ) СВЧ диапазона на эпитаксиальных слоях GaAs(dn=0,25мкм; n= 6,5*1016cм -3; db=6,5мкм; n+b=2*1018см-3). Основными проблемами разработки являлось улучшение электрических параметров и надежности. С этой целью была разработана технология изготовления.
В ПТШ НА GaAs И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ НА ИХ ОСНОВЕ
Авторы: Т.С.Петрова, Л.В.Григорьева, Е.П.Гроо, Научно-производственная фирма "Микран", г. Томск
Публикация: Научная сессия ТУСУР 2005. Материалы Всероссийской Научно-технической Конференции 26-28 апреля, 2005г., г. Томск
Применение ПТШ и монолитных интегральных схем на их основе предъявляет к современным СВЧ приборам требования дальнейшего повышения мощности и усиления в заданном диапазоне частот с одновременным расширением полосы пропускания, стабильности и надежности. Эти требования ограничиваются, в основном, тремя параметрами ПТШ: паразитной индуктивностью истокового вывода Lи, напряжением пробоя затвор-сток Uзс и тепловым сопротивлением Rт.
2004 год
Авторы: Аржанов С.Н., Баров А.А., Игнатьев М.Г. Научно-производственная фирма Микран, г. Томск
Опубликовано в сборнике трудов 14-ой Международной Крымской конференции “СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии” (КрыМиКо’2004). 13-17 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
Опубликовано: В книге «Интеллектуальные системы в управлении, конструировании и образовании». Вып. 3/Под ред. А. А. Шелупанова. - Томск: STT, 2004. Стр. 110-125.
Авторы: Е.П.Гроо, Т.С. Петрова, О.А.Дедкова, М.Г.Игнатьев, Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Опубликовано: Материалы 3 Всероссийской Научной Конференции «Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий». 2-4 сентября 2004г., г.Томск, ТПУ
Автор: Гроо Е.П., Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Опубликовано: Научная сессия ТУСУР - 2004. Материалы Всероссийской Научно-Технической Конференции 2004г., г. Томск
В работе рассмотрена технология изготовления полевого арсенид-галлиевого (GaAs) транзистора с самосовмещенным затвором длиной 0,3 мкм; представлены вольт-амперные характеристики и СВЧ параметры прибора.
Авторы: Е.П.Гроо, Т.С.Петрова, Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Опубликовано: Материалы Российской научно-практической конференции 21-22 октября 2004года, ТГУ. «Полифункциональные химические материалы и технологии».
2003 год
РАДИОРЕЛЕЙНЫЕ ЛИНИИ С ИНТЕГРАЦИЕЙ СЕРВИСОВ ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ АСУ ТП
Автор: Скирта Ю.В., Научно-производственная фирма "Микран", г. Томск
Публикация: Доклад на 3 научно-практической конференции "Современные средства и системы автоматизации" (14-15 ноября 2003 г.).
Технология плезиохронной цифровой передачи информации PDH давно известна, получила широкое применение и до сих пор пользуется высокой популярностью для построения систем передачи в силу того, что она хорошо изучена, у операторов имеется хороший опыт по эксплуатации и на рынке имеется большой выбор оборудования различных производителей. Но также известны и такие основные недостатки, как необходимость выполнять полное демультиплексирование/ мультиплексирование цифрового потока для извлечения первичного потока из потока верхних уровней и фактически отсутствие заложенной пропускной способности для организации сетевого управления сетью РРЛ и контроля качества передачи.
Для решения этих проблем НПФ «Микран» разработала семейство унифицированных цифровых радиорелейных станций первого уровня с добавлением к основному потоку путем однократного мультиплексирования дополнительных каналов передачи данных общей скоростью до 8 каналов по 64 кбит/с при скорости 8 Кбит/с и 8х64Кбит/с плюс 2048 Кбит/с для скорости 34 Мбит/с.
2002 год
Авторы: Г.Н. Глазов, А.Г. Костевич, Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Опубликовано: В книге «Интеллектуальные системы в управлении, конструировании и образовании». Вып. 2/Под ред. А. А. Шелупанова. – Томск: STT, 2002. Стр. 19-27.
Необходимость в моделировании случайных полей возникает при поиске и разработке эффективных алгоритмов анализа, классификации и сегментации изображений различной природы. Наиболее важное применение такие алгоритмы находят в задачах обнаружения, измерения и идентификации подвижных объектов методами согласованной фильтрации, а также при оценке помехозащищенности. Такие задачи возникают при проектировании радиолокационных, телевизионных, инфракрасных и других систем общего и специального применения.
Авторы: Белов В.И., Панимаскин Е.И.
Теория БПФ рассматривается во многих работах. В некоторых из них приведены программы реализации БПФ на различных алгоритмических языках. Однако описание преобразования не столь подробно, как хотелось бы, а программы сложны при анализе и творческой переработке. В данной работе предлагается подробное описание БПФ с прореживанием по времени и ясный алгоритм его реализации, позволяющий записать БПФ окончательно на любом языке программирования.
Авторы: А.А.Баров, В.И.Вальтер, А.Н.Гусев, А.В.Комендатенко, В.М.Коротаев, И.В.Романюк, Научно-производственная фирма "Микран", г. Томск
В статье приводится пример проектирования приемо-передающего устройства (ППУ) импульсной РЛС S диапазона. ППУ предназначено для использования в системах охраны периметра и других приложениях ближней радиолокации. Разработанное устройство является конструктивно и функционально законченным блоком, который может быть интегрирован в РЛС различного назначения.
ПОДАВЛЕНИЕ ДЖИТТЕРА В ЦИФРОВЫХ СИСТЕМАХ ПЕРЕДАЧИ
Автор: Скирта Ю.В, Научно-производственная фирма "Микран", г. Томск
Аннотация. При построении многоучастковых (многопролетных) цифровых систем передачи возникает проблема джиттера (фазовых флуктуаций) цифрового потока. В данной статье рассматривается способ подавления джиттера.
2001 год
Автор: Ульянов В.Н. , Научно-производственная фирма "Микран" ,г. Томск
Опубликовано: Автометрия № 5, 2001, с. 12-24.
В работе предложен новый подход в построении алгоритмов кодирования изображений. На его основе разработан алгоритм кодирования изображений без потерь. Выполнена оптимизация отдельных частей алгоритма. В статье введено понятие проадаптивности алгоритма, предложены проадаптивные схемы кодирования множеством предсказателей и межкомпонентной компенсации избыточности изображения.
Авторы: Г.Н. Глазов, А.Г. Костевич, Научно-производственная фирма «Микран», г. Томск
Опубликовано: В кн. «Интеллектуальные системы в управлении, конструировании и образовании». /Под ред. А. А. Шелупанова. - Томск: STT, 2001. Стр. 97-105.
Системы передачи и архивирования двумерных и многомерных массивов данных быстро развиваются в теоретическом и техническом планах. Особое ускорение их развитию дали быстрый прогресс вычислительной техники и возникшая с развитием лазеров техническая возможность использования коротковолновых оптических каналов, как атмосферных, так и по волоконно-оптическим линиям.
|
Главная |
Политика конфидециальности |
Контакты |
Карта сайта
|
|
“Микран” © 1991-2018
|